工频薄膜介电常数测试仪
计算公式
Cx=R4× Cn/R3 R4[Ω]R3[Ω] Cn[pF] Cx[pF]
tgδ=ω·R4·C4 R4[Ω]C4[F]
当R4=10K/π
tgδ=C4
当R4=1K/π
tgδ=0.1C4
我们采取相对固定R4电阻，分别调节R3和C4使桥跟平衡，从而测得试品的电容值Cx和介质损耗tg。本电桥为了直读出损耗值，取电阻R4的阻值为角频率（f=50Hz）若干倍。
公式说明
.频率对介质损耗正公式：
本电桥额定的工作频率f=50Hz，在实际工作频率偏离额定频率时可用修正式进行修正：
tg=f’·tgδ/f
式中：f为额定工作频率（f=50Hz）
f’为实际工作频率
tgδ电桥测得损耗值
tgδ为被测试品介质损耗角正切的实际值
安全操作规程
本仪器必须有专人负责保管，使用，非专职操作者应在使用前了解和熟悉本说明书，以免造成不必要的损失和事故。
每次使用前应仔细检查接地线是否完好，确保以后方可通电使用。
接通电源前应将灵敏度开关调到低位置。
测量试品前应先对试品进行高压试验，证明在电桥工作电压下无噪声，电离等现象出现，然后才能进行测试（若试品己做过高压试验，该项可不必每次测量都做）。
对试品施加高压时缓慢升高，不可以加突变电压。
测试时操作人员必须集中思想，工作前做好一切准备工作，测试地点周围应有明显的标记或金属屏蔽围成高压危险区，以防止非操作人员闯入。
在测量过程中，如有放电管发光时，则必须及时切断电源，仔细检查接线及试品都无击穿，待检查排除故障后，再进行高压测量工作。
电桥的特点；
l桥体内附电位跟踪器及指零仪，外围接线及少。
l电桥采用接触电阻小，机械寿命长的十进开关，保证测量的稳定性
l仪器具有双屏蔽，能有效防止外部电磁场的干扰。
l仪器内部电阻及电容元件经特殊老化处理，使仪器技术性能稳定可靠。
l内附高压电源精度3%
l内附标准电容损耗﹤0.00005，名义值100pF
技术指标测量范围及误差
本电桥的环境温度为20±5℃，相对湿度为30%-80%条件下，应满足下列表中的技术指示要求。
在Cn=100 pF R4=3183.2（Ω）时
测量项目 | 测量范围 | 测量误差 |
电容量Cx | 40pF—20000pF | ±0.5% Cx±2pF |
介损损耗tgδ | 0-1 | ±1.5% tgδx±0.0001 |
在Cn=100 pF R4=318.3（Ω）时
测量项目 | 测量范围 | 测量误差 |
电容量Cx | 4pF—2000pF | ±0.5% Cx±3pF |
介损损耗tgδ | 0-0.1 | ±1.5% tgδx±0.0001 |
1-1电桥的特点；
l桥体内附电位跟踪器及指零仪，外围接线及少。
l电桥采用接触电阻小，机械寿命长的十进开关，保证测量的稳定性
l仪器具有双屏蔽，能有效防止外部电磁场的干扰。
l仪器内部电阻及电容元件经特殊老化处理，使仪器技术性能稳定可靠。
l内附高压电源精度3%
l内附标准电容损耗﹤0.00005，名义值100pF
电容电桥测试仪BQS-37技术指标
2-1测量范围及误差
本电桥的环境温度为20±5℃，相对湿度为30%-80%条件下，应满足下列表中的技术指示要求。
在Cn=100 pF R4=3183.2（Ω）时
测量项目 | 测量范围 | 测量误差 |
电容量Cx | 40pF—20000pF | ±0.5% Cx±2pF |
介损损耗tgδ | 0-1 | ±1.5% tgδx±0.0001 |
在Cn=100 pF R4=318.3（Ω）时
测量项目 | 测量范围 | 测量误差 |
电容量Cx | 4pF—2000pF | ±0.5% Cx±3pF |
介损损耗tgδ | 0-0.1 | ±1.5% tgδx±0.0001 |
2-2电桥测量灵敏度
电桥在使用过程中，灵敏度直接影响电桥平稳衡的分辨程度，为保证测量准 在下面的计算公式中，用户可根据实际情况估算出电桥灵敏度水平，在这个水平上的电容与介质损耗因数的微小变化都能够反应出来。
ΔC/C或Δtgδ=Ig/UωCn(1+Rg/R4+Cn/Cx)
式中: U 为测量电压 伏特 (V)
ω为角频率2πf=314(50Hz)
Cn标准电容器容量 法拉(F)
Ig通用指零仪的电流5×10-10 安培(A)
Rg平衡指零仪内阻约1500 欧姆(Ω)
R4桥臂R4阻值3183 欧姆(Ω)
Cx被测试品电容值 法拉(pF)
2-3电容电桥测试仪工作电压说明
在使用中，本电桥顶A，B对V点的电压zui高不超过11V，R3桥臂各盘的电流不超过下列规定：
10×1kΩ 1max≤15mA
10×100Ω 1max≤120mA
10×10Ω l max≤150mA
用户在使用前应注意以上的问题。如不清楚，可根据实验电压及标准电容量，按以下公式来计算出大概的工作电流。
I=ω V C
2-4辅桥的技术特性：
不失真跟踪电压0～11V（有效值）
